පරිගණක මතකය දියුණු කිරීම සදහා නැනෝ තාක්ෂණය

පරිගණක මතකය ලෙස භාවිතා කරන Hard drives ක්‍රියාත්මක කිරිම සඳහා වැඩි විදුලි බලයක් පරිභෝජනය කරන අතර එහි චලනය වන කොටස්  පවතින බැවින් අර්ධ සන්නායක මතකයන්ට  වඩා අසාර්ථකභාවයට වැඩි අවස්ථාවක්  පවති. මේ නිසාම අර්ධ සන්නායක මතකයන් tablets වැනි කුඩා පරිගණකයන් වල ඡනප්‍රියත්වයට පත්ව ඇත. මෙම අර්ධ සන්නායක මතකයන් අඩු ඉඩ ප්‍රමානයක් , අඩු බැටරි බලයක්  සහ හානියට පත් වීමේ  අඩු  ඉඩකඩයකින් යුක්ත වේ . තව දුරටත් මෙම අර්ධ සන්නායක මතකයන් හි ඝණත්වය වැඩි කිරිම  සඳහා නැනෝ තාක්ෂණය භාවිතා කරමින් සිටී.

වර්ථමානයේ  flash  memory  නිෂ්පාදකයන් අවම නැනෝ මීටර 20 කට තරම්  කුඩා memory Chip සෑදිම සඳහා nanolithography තාක්ෂණික ක්‍රමය භාවිතා කරයි.

පර්යේෂකයන් සිරස් flash transistors පිළිබඳව ඉදිරිපත් කිරිමක් කර ඇත. මෙම අදහස මගින් මතක ඝණත්වය ඉහල දැමිමේ විභවයක් ඇති කිරිමට ට්‍රාන්සිස්ටර්වල සිරස් අතට එක මත එකට මතක සෛල සැකසිම මඟින් කල හැකි බවය. පර්යේෂකයන් මතක සෛල ඝණත්වය 8 සිට 16 වාරයක් වැඩි කල හැකි බව යෝඡනා කරයි.

ටයිටේනියම් ඩයොක්සයිඩ ආලේපිත නැනෝවයර් භාවිතා කර මතක උපාංගයක් Hewett Packard විසින් සංවර්ධනය කර තිබේ. මෙම නැනෝවයර් වල එක් කණ්ඩායමක් තවත් කණ්ඩායමකට සමගාමීව තැන්පත් වේ. සමාන්තර වයර් කණ්ඩායමක් මත එකිනෙක ලම්භක නැනෝවයර් ඇතුරූ විට එක් එක් ජේදනය වන ස්ථානය memristor ලෙස හදුන්වයි.

මෙම  memristor එකක් තනි සංඝටක මතක සෛලයක් ලෙස භාවිතා කල හැකිය. නැනෝවයර්වල විෂ්කම්භය අඩුකිරීම මගින් flash memory chip එකකට වඩා විශාල මතකයක් memristor මතකයකට ලගාවිය හැකි බව පර්යේෂකයන්ගේ විශ්වාසයයි. HP ආයතනය Hynix අර්ධ සන්නායක භාවිතා කරමින් memristor මතකය පදනම් කරගනිමින් ReRAM හෙවත් Resistive Random Access Memory සකස් කරමින් සිටී.

යකඩ සහ නිකල් ලෝහයන් සදා ඒවා භාවිතා කරමින් චුම්භක නැනෝවයර් සකස්කර ඝණ මතක උපාංග නිර්මාණය කරණු ලැබේ. IBM ආයතනයේ පර්යේෂකයන් මෙම නැනෝවයර්වල අංශ magnetize කිරීමේ  ක්‍රමයක් සංවර්ධනය කර ඇත. විදුලි ධාරාව භාවිතා කිරීම මගින් magnetize කරන ලද අංශ වයරය දීගේ චලනය කල හැකිය. Magnetized  අංශය ලෙස වයරය දිගේ චලනය වීමෙන්  දත්ත සංවේදක විසින් කියවනු ලබයි. මෙම ක්‍රමය race track memory ලෙස හදුන්වයි. මෙම සැලැස්ම අඩු පරිවැය,අධි ඝනත්වයෙන් සහ වඩා විශ්වාසදායක මතක චිප් නිර්මාණය කිරිමට  සිලිකන් උපස්ථරයක් මත U  හැඩය ඇති නැනෝවයර්වල ට්‍රැක් සිය ගණනක් වර්ධනය කිරීමයි.

නැනෝවයර් භාවිතා කරන තවත් ක්‍රමයක් පිලිබදව රයිස් විශ්වවිද්‍යාලය පර්යේෂණ කරමින් සිටී. රයිස් විශ්වවිද්‍යාලයේ පර්යේෂකයන් මතක උපාංග සැකසීමට සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් නැනෝවයර් භාවිතා කල හැකි බව සොයා ගන්නා ලදී. ඉලෙක්ට්‍රෝඩ 2ක් අතර මෙම නැනෝවයර යොදන ලදී. වෝල්ටීයතාවයක් භාවිතා කිරීමෙන් එම ස්ථානයේ  නැනෝවයර්වල ප්‍රතිරෝධය වෙනස් කල හැක. මෙම ඉලෙක්ට්‍රෝඩ 2ක අතර සිටින නැනෝවයරයේ එක් එක් ස්ථාන මතක සෛල බවට පත්වෙයි.

මෙම ප්‍රවේශය ලබාගැනීම සදහා පර්යේෂකයන් විසින් සොයාගන්නා ලද ප්‍රධාන දේ නම් material වල ගුණාංගවලට හානි නොකර නැවත නැවතත් සන්නායක සහ කුසන්නායක අතර මාරුවෙන්  මාරුවට මතක සෛල අවස්ථා මාරු කල යුතු බවය. මෙම පර්යේෂකයන්  ඔවුන්ට ඉහල මතක ඝනත්වයක් ලබාගැනීම සදහා 5nm පමණ විශ්කම්භයෙන් යුත් නැනෝවයර් භාවිතා කරමින් සිදුකල හැකි බව විශ්වාස කරති.

Reference:

http://www.understandingnano.com/nanotechnology-computer-memory.html

Posted in: නැනෝ තාක්ෂණයநனோ தொழில்நுட்பம், පරිගණකகணனி